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新型功率半导体器件国家重点实验室再添一国际权威

发布日期:2017-12-15 作者: 宁波中车时代

  近日,在湖南省IGBT产业对接会暨中国IGBT技术创新与产业联盟第三届学术论坛现场,时代电气董事长、新型功率半导体器件国家重点实验室首席科学家丁荣军院士正式向英国皇家工程院院士Florin Udrea发下聘书。这意味着 ,依托于时代电气建设的国家级科技创新平台“新型功率半导体国家重点实验室”, 再添一国际权威。

  Florin Udrea博士是英国剑桥大学教授、英国皇家工程院院士,也是高压微电子及传感器实验室带头人。他专精于功率半导体器件及固态传感器研究,在功率半导体器件及传感器方向拥有专利100余项,分别在集成电路、智能传感器、功率器件、高压氮化镓和流体及传感器等5个领域创建了5家公司,是行业内名副其实的国际顶尖技术“大咖”。受聘后,Florin Udrea将成为新型功率半导体国家重点实验室学术委员会委员。学术委员会作为国家重点实验室的学术指导组织,职责是审议企业国家重点实验室的目标、研究方向、重大学术活动、年度工作计划和总结等。实验室目前已拥有刘友梅、马伟明、李立浧、丁荣军、郝跃、罗安等6位中国工程院院士坐镇指导。

  2015年,国家科技部批准建设新型功率半导体国家重点实验室,以国家重大需求为导向,基于新型功率半导体技术发展及其应用需求,开展器件基础理论、前沿共性关键技术及其应用可靠性研究,支撑我国IGBT、SiC等新型功率半导体器件技术的原始创新,抢占技术制高点;开展持续深入的系统性研究,加强产学研合作,推动先进和前沿技术的转化,在功率半导体行业技术进步中发挥引领、示范和辐射带动作用。新型功率半导体器件国家重点实验室的主要任务是开展SiC和新一代IGBT及超大容量双极芯片及其封装、组件关键技术研究,解决芯片、封装与应用组件协同优化难题;促进国内外技术交流与合作,完善行业技术标准;加强成果转化、人才培养和学术团队,建设形成国内新型半导体器件人才聚集基地。

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